Ga2O3氧化鎵被視為是第四代半導體的材料。與SiC跟GaN相比，有更寬的禁帶能階(4.8eV)。

可應用在以下地方：

1.更高功率的電子元件。

2.耐高壓的電力元件。

3.高能射頻電子發射器。

4.深紫外光探測器。

5.其他。

Ga2O3氧化鎵有幾種結晶相，其中βㄧGa2O3是熱力學上最為穩定的結晶相，也最被看好。