有機發光二極體(OLED)陰極材料的金屬鍍層，會選用低功率函數的金屬，讓元件有較快的反應速度。小尺寸常見的是鎂＋銀（蒸鍍溫度約為700℃+1200℃，共鍍），大尺寸為鋁（蒸鍍溫度約為1250℃)。除了以上的陰極材料，大尺寸的緩衝絕緣層LiF（蒸鍍溫度約為750℃)，這些都必須使用PBN坩堝進行蒸鍍作業。

在蒸鍍作業中，使用的是真空氣氛，好的PBN坩堝，在此環境下不會有氣體蒸發出來，污染鍍層。要控制PBN坩堝不含有低蒸氣壓氣體，PBN坩堝生產時使用的氣體種類與純度控制，CVD生產製程控制（避免產生缺陷與包入氣體等）與坩堝後製處理手續都是關鍵的因素。

此外，目前PBN坩堝最大的問題在於使用壽命（易破裂或發生裂痕)，特別在鋁金屬蒸鍍上更為嚴重。PBN坩堝發生破裂或裂痕的主要原因有：

1.蒸鍍腔中的真空度不足 ：若真空度不足，含有氧氣，PBN坩堝會與氧反應生成B2O3，B2O3易吸水且熱膨脹係數較大，會降低PBN坩堝壽命，並且會污染鍍層。

2.降溫速度過快 ：雖然PBN坩堝的熱衝擊性很好 ，但是若降溫速度過快，仍然會累積熱應力，降低PBN坩堝壽命。除此之外，若坩堝有殘留金屬，因金屬與PBN坩堝的熱膨脹係數差異，也會讓坩堝底部產生微裂痕。因此建議每次操作 ，都盡量把金屬燒乾，以延長PBN坩堝的壽命。

3.坩堝本身的缺陷 ：在CVD生產PBN坩堝過程，要盡量讓BN的晶粒緻密且大小一致，並避免產生微裂痕、包入氣體，因為這些缺陷都會降低坩堝壽命。

4.好的降溫設計 ：蒸鍍機的降溫設計也會影響PBN坩堝壽命。

5.合適的坩堝形狀與尺寸設計：坩堝太厚散熱不易且內應力較大，太薄不易製作且若晶粒太大會讓強度不足，因此坩堝整體的形狀與尺寸設計是相當重要的 ，也需與蒸鍍機的降溫設計搭配 。

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