5G通訊基地台用的RF模組晶片目前多以Si CMOS和GaAs為主，低功耗的GaN也逐漸被使用。但無論使用哪種晶片，因處理器運算能力提升所造成的功耗增加，讓晶片散熱設計變得格外重要。

過去IC封裝多採用QFN等塑封料技術，雖然塑封料可填充SiO2/Al2O3等陶瓷材料來提升塑膠的導熱，但導熱值仍嫌不足。最近RF IC封裝開始採用WLCSP或SiP技術，希望藉由縮小封裝體積，來降低導熱路徑，以提高散熱效率。

5G基地台依功率大小可分成以下幾種：

1.家庭基站 (Femto Site)：家庭基站功率約在100mW以下，是功率最小和覆蓋面積最小的基地台，多被家庭使用，是裝置在室內的基地台。

2.皮基站（Pico Site)：皮基站功率約在500mW以下，是用來補強建築物內部的訊號，為裝置在室內的基地台。

3.微基站（Ｍicro Site)：：微基站功率約在10W以下，是用來補強宏基站的訊號，多裝置在人口密集區的戶外。

4.宏基站（Ｍacro Site)：：宏基站功率在10W以上，是主要發射訊號的基地台，多裝置在空曠的戶外。

如上述，陶瓷材料的填充可以有效提高RF IC封裝材散熱效率。而陶瓷材料的選擇要點是，依功率與基地台種類，挑選合適的成分、粒徑、形狀等。