以二維結構的材料取代三維結構的矽晶片，是微小積體電路的可行方法。而六方氮化硼具有最薄的絕緣層（約一個原子厚度），絕緣電壓高達30~40kv/mm，被視為小型化半導體應用材料之一。

應用在此的六方氮化硼必須是單晶結構，並與導線（例:Cu)有好的密合，目前只能採用氣相沈積方式製作。