氮化矽常見有兩種晶型，α相與 β相。α-Si3N4是低溫結晶相，β-Si3N4是高溫結晶相。

高溫下，α-Si3N4無法穩定存在，易轉換成β-Si3N4，此相變是不可逆的。也就是說，降溫後，β-Si3N4不會變回α-Si3N4。

氮化矽陶瓷的燒結生產技術，主要是反應燒結法、熱壓燒結法和常壓燒結法、氣壓燒結法等方式。

若要製成導熱用的氮化矽陶瓷，其燒結後的結晶相要以β-Si3N4為主，這樣才會有較高的導熱係數。

氮化矽陶瓷燒結相當困難（需要很高溫，甚至要高壓），加上氮化矽在1800度Ｃ以上易分解，因此廠商多是採用添加助燒結劑的方式，增加氮化矽燒結驅動力，以期降低溫度燒結。

奈米Y2O3與MgO粉是常見的助燒結劑。而Y2O3與MgO都易與CＯ2與水反應成碳酸鹽類，奈米粉反應更是嚴重，因此在選用Y2O3與MgO時須格外注意，不然燒製的氮化矽陶瓷除了品質不穩定外，會有色不均的問題。

要燒製Si3N4陶瓷，可採用α-Si3N4或β-Si3N4粉做起始原料。而採用α-Si3N4做原料，因會經過α-Si3N4轉換成β-Si3N4的過程，會促進氮化矽陶瓷燒結（可降低溫度燒結）。因此若要燒製Si3N4陶瓷，選用α-Si3N4粉為優先。

選用Si3N4粉還需注意Ti的含量，因為在燒結氮化過程，若產生的TiN，會降低Si3N4陶瓷的絕緣阻抗。